本發明公開了一種透明熱電模塊的制備方法,屬于功能材料及器件領域。本發明所述方法首先采用脈沖激光沉積在雙面拋光Al2O3(0001)單晶襯底的其中一個表面淀積P?CuCr1?xMgxO2薄膜,淀積過程用鎳掩膜板Ⅰ遮擋襯底表面;然后將雙面拋光Al2O3(0001)單晶襯底翻轉180°,鎳掩膜板Ⅰ位置不變,用脈沖激光沉積在單晶襯底的另一表面淀積N?Zn1?yAlyO薄膜;最后采用離子濺射在單晶襯底的邊緣兩側制備金電極,淀積過程用鎳掩膜板Ⅱ遮擋襯底的邊緣兩側。本發明制備得到的透明熱電模塊為P?CuCr1?xMgxO2、N?Zn1?yAlyO薄膜間呈X形交叉分布,且金電極將P、N型薄膜依次連接成兩個串聯通路。本發明相比現有薄膜熱電模塊單位面積上的輸出功率增大,襯底和電極材料用量減少,模塊在可見光波段透過率高,肉眼觀察為透明。
聲明:
“透明熱電模塊的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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