本發明是一種制備高純磷烷規?;B續生產方法和裝置的研制,屬于電子氣體制備純化技術領域;該方法包括步驟(1)、粗制磷烷的制備過程:先用亞磷酸加熱反應得到粗制磷烷;和(2)、高純磷烷的純化過程:對粗制磷烷采用液氮冷阱低溫真空分離、分子篩吸附干燥和鎵?銦合金深吸附脫水、氧。本發明所述的方法能深度脫除氧、水和碳氫化合物等電子材料中有害雜質,一般可以達到0.01~0.1ppm以下;純化劑主體鎵?銦合金可以反復使用,使用壽命除化學處理稍許損失外,理論上具有很長的使用壽命。
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“高純磷烷規?;B續生產方法和裝置的研制” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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