本發明涉及一種高純鉭靶材的生產方法,其包括(1)將大小為5~10mm*5~10mm的鉭塊置于氫化爐中進行吸氫;(2)將吸氫完畢的鉭破碎成-200目的粉末,置于鋼包套中,按一定速率和階段進行升溫和抽氣,之后將鋼包套置于熱等靜壓機中進行燒結,燒結溫度為1100~1500℃,氣氛壓力為50~200MPa,最后機加工,切割成規定形狀,即得。本發明采取粉末冶金的方法并結合特定的工藝條件,可以獲得織構分布均勻、晶粒大小分布均勻且晶粒尺寸小的鉭靶材,該靶材具有高沉積速度和較好的膜均一性,產生出較少的電弧和粒子并具有較好的成膜性能。特別是,本發明的方法的工藝過程簡單,成本較低。
聲明:
“高純鉭靶材的生產方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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