本發明一種去除多晶硅中雜質磷的方法及裝置屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術將多晶硅中的雜質磷去除的方法及裝置。該方法中采用雙電子束,用旋轉水冷銅坩堝的方式使電子束可以充分對多晶硅進行熔煉,可以在熔煉過程中加料實現連續作業,去除多晶硅中雜質磷。將多晶硅料裝入水冷銅坩堝中,關閉真空裝置蓋;然后抽真空,給左、右電子槍預熱。所用的裝置由真空裝置蓋與真空圓桶構成裝置外殼,真空圓桶內腔即為真空室。多晶硅中有害的雜質磷用電子束熔煉去除,充分完全,有效提高了多晶硅的純度,實現連續作業。方法效率高、裝置簡單、節約能源。
聲明:
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