本發明公布了一種草酸促進光催化半導體硫化礦物細菌浸出的方法,屬于生物冶金技術領域。嗜酸鐵硫氧化細菌在添加0.01-0.2g/L草酸,光照條件下浸出半導體硫化礦物。草酸能夠與氧化性光生空穴反應,增加光生電子的利用率,進而顯著增加半導體硫化礦物浸出率。光強6000?Lux-8500?Lux添加0.01-0.2g/L草酸的浸出結果與光強0?Lux?不添加草酸的浸出結果比較,其浸出率增加了30.4-42.7%,與光強6000?Lux-8500?Lux不添加草酸的浸出結果比較,其浸出率增加了5.3-15.3%。本發明的方法能夠提高光催化效率,從而顯著提高半導體硫化礦物浸出率,使得半導體硫化礦物更具有綜合利用價值以及實現半導體硫化礦物作為光催化劑在生物浸礦領域上的應用具有重大意義。
聲明:
“草酸促進光催化半導體硫化礦物細菌浸出的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)