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            太陽能多晶硅的制備方法

            981   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 14:33:09
            本發明主要公開了一種太陽能級多晶硅的制備方法,采用冶金級硅作為原料,經破磨后得粒度為50目以上的硅粉物料,硅粉物料分別用濃度為1?6mol/l的鹽酸、濃度為0.5?6mol/l的硝酸和濃度為1?5mol/l的氫氟酸進行酸浸處理,酸浸后加入真空爐內進行真空精煉處理,真空精煉分兩階段,第一階段為真空氧化精煉,控制爐內溫度為1430?1500℃,真空度為90000?1000Pa,第二階段,即真空蒸餾精煉和真空脫氣階段,控制爐子真空度10?2?10?5Pa,溫度1430?1500℃,最后經定向凝固及切頭處理,獲得太陽能級多晶硅產品。其硅的純度為99.9999%以上,比電阻超過0.4Ω.cm,以滿足太陽能電池行業所需硅原料的要求。
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            “太陽能多晶硅的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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